800V CDMOS工藝平台集成了 LVCMOS、 MV CMOS 和高壓DMOS和多晶高阻和齊納二極管等器件。特殊適合離線式電源（AC/DC）和LED 驅動産品設計.
工藝特征
Ø 集成了垂直的800V VDMOS器件，BV跨越900V
Ø VLD(橫向變攙雜技術)的終端可節儉三分之一的芯單方面積
Ø 采取了厚內涵片，內涵電阻率高
Ø 雙阱，單多晶，單層金屬，後頭減薄和背金工藝
Ø 11層光罩，12個光刻層
Ø 集成了各類低、中、高壓器件，包括對稱和非對稱構造，加強和耗盡型的類型
Ø 集成了柵氧電容、齊納二極管、低阻值多晶硅電阻
Ø 可完成高壓和高壓器件的隔離
典範運用
Ø 電源治理
Ø 顯示驅動
Ø 汽車電子